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ATMP对HEDP镀铜体系中铜电沉积行为的影响
投稿时间:2022-01-25  修订日期:2022-07-25 点击次数: 25
本文作者
喻岚 
廖志祥 
袁景追 
张娟 
王帅星 
杜楠 
中文摘要: 通过霍尔槽试验、电化学测试、扫描电镜分析和X射线衍射研究了氨基三亚甲基膦酸(ATMP)作为辅助配位剂时对羟基乙叉二膦酸(HEDP)镀铜体系中铜电沉积行为及镀层结构的影响。结果表明,ATMP可以显著阻碍铜的电沉积,细化镀层晶粒,且具有一定的整平作用,但不会改变Cu的形核方式。HEDP镀铜体系中ATMP主要作用在高电流密度区,适量的ATMP有助于拓宽光亮电流密度范围、降低铜阳极的钝化,但过量会导致高电流密度区镀层烧焦。镀液中加入9 g/L ATMP可以产生较佳效果,所得铜镀层结晶细致均匀,平均晶粒尺寸约为37.5nm。
中文关键词: 氨基三亚甲基膦酸;羟基乙叉二膦酸;电镀铜;辅助配位剂;电化学分析
 
Influence of ATMP on copper electrodeposition behavior from HEDP system
keywords:amino trimethylenephosphonic acid; etidronic acid; electroplating copper;auxiliary complexing agent;electrochemical analysis

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