| ATMP对HEDP镀铜体系中铜电沉积行为的影响 |
| 投稿时间：2022-01-25 修订日期：2022-07-25
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| 本文作者 |
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喻岚
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廖志祥
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袁景追
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张娟
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王帅星
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杜楠
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| 中文摘要: 通过霍尔槽试验、电化学测试、扫描电镜分析和X射线衍射研究了氨基三亚甲基膦酸（ATMP）作为辅助配位剂时对羟基乙叉二膦酸（HEDP）镀铜体系中铜电沉积行为及镀层结构的影响。结果表明，ATMP可以显著阻碍铜的电沉积，细化镀层晶粒，且具有一定的整平作用，但不会改变Cu的形核方式。HEDP镀铜体系中ATMP主要作用在高电流密度区，适量的ATMP有助于拓宽光亮电流密度范围、降低铜阳极的钝化，但过量会导致高电流密度区镀层烧焦。镀液中加入9 g/L ATMP可以产生较佳效果，所得铜镀层结晶细致均匀，平均晶粒尺寸约为37.5nm。 |
| 中文关键词: 氨基三亚甲基膦酸；羟基乙叉二膦酸；电镀铜；辅助配位剂；电化学分析 |
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| Influence of ATMP on copper electrodeposition behavior from HEDP system |
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| keywords:amino trimethylenephosphonic acid; etidronic acid; electroplating copper;auxiliary complexing agent;electrochemical analysis |
