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碱性抛光液不同组分对3D微同轴中铜和光刻胶化学机械抛光速率的影响
投稿时间:2021-10-09  修订日期:2021-12-28 点击次数: 29
本文作者
李森 
中文摘要: 研究了碱性抛光液pH、SiO2磨料质量分数、H2O2体积分数和甘氨酸质量分数对3D微同轴加工中铜和光刻胶化学机械抛光(CMP)去除速率的影响,得到较佳的抛光液组成为:5%质量分数的SiO2,20ml/L体积分数的H2O2,2.5%质量分数的甘氨酸,pH为10。采用该体系抛光液时,铜和光刻胶的去除速率非常接近,满足3D微同轴对铜和光刻胶CMP去除速率选择性的要求。
中文关键词: 三维微同轴;铜;光刻胶;化学机械抛光;碱性抛光液;去除速率
 
Effect of different components of alkaline polishing slurry on the removal rate during chemical mechanical polishing of copper and photoresist in 3D micro-coaxial
keywords:three dimensional micro-coaxial; copper; photoresist; chemical mechanical polishing; alkaline slurry; removal rate

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