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不同雾流速率下Mist-CVD法外延α-Ga2O3薄膜的研究
投稿时间:2021-09-25  修订日期:2021-12-08 点击次数: 35
本文作者
杨邻峰 
宁平凡 
中文摘要: 超声雾化化学气相沉积(Mist-CVD)法外延α-Ga2O3薄膜在器件上的应用已经实现,但器件性能远不如同类产品,主要原因在于目前工艺问题造成外延薄膜质量较差。本实验主要研究了Mist-CVD法外延α-Ga2O3薄膜中通入雾流速度的调控,以及对薄膜生长质量的影响。利用COMSOL仿真得到在0.1m/s-0.2m/s的雾流速度下基板表面具有稳定的雾流和较低的温度变化。通过设置对照实验,研究通入雾流速度为0.118m/s、0.177m/s(在0.1m/s-0.2m/s范围内)与通入雾流速率为0.251m/s时Mist-CVD法生长α-Ga2O3薄膜的差异。X射线衍射(XRD)表明在三种速率下均成功外延出α-Ga2O3薄膜,在一定范围薄膜生长速率随着雾流速率的增加而提高,但当雾流通入速度过高时α-Ga2O3薄膜表面发生翘曲开裂,且tauc拟合估算光学带隙发现其带隙变小。
中文关键词: α-Ga2O3;Mist-CVD;外延;宽禁带半导体;雾流速率;薄膜
 
Study on the epitaxy of α-Ga2O3 film by Mist-CVD method under different mist flow rates
keywords:α-Ga2O3; Mist-CVD; epitaxy; wide-bandgap semiconductor; mist flow rate;film

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