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N,N-二甲基甲酰胺中Bi2Te3热电材料的电沉积研究
投稿时间:2021-07-07  修订日期:2021-10-19 点击次数: 30
本文作者
李菲晖 
中文摘要: 在N,N-二甲基甲酰胺有机溶剂体系以及金基体上,采用循环伏安曲线及线性极化曲线的方法对Bi(III)、Te(IV)离子进行氧化还原行为的测试,分析了Bi(III)、Te(IV)离子在DMF有机溶剂体系内的扩散系数,在此基础上选取了不同的沉积电位采用恒电位沉积法制备Bi2Te3二元薄膜热电材料,并通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)以及X射线能谱分析(EDS) 对制备的材料进行了结构、形貌、组成等性能分析。结果表明:在相同条件下Bi(III)离子的沉积比Te(Ⅳ)离子困难,所制备出的薄膜热电材料中含有Bi-Te二元化合物,并且随着电位的不断负移,薄膜热电材料表面的粗糙度不断变大,在沉积电位为-3.0 V的条件下,镀层中Bi、Te元素的摩尔比可达到1∶1.65,最接近于理想组分。
中文关键词: Bi2Te3;电沉积;DMF;扩散系数;循环伏安法
 
Electrodeposition of Bi2Te3 Thermoelectric Material in N, N-dimethylformamide
keywords:Bi2Te3; electrodeposition; DMF; diffusion coefficient; cyclic voltammetry

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