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IC铜布线抛光及后清洗中缓蚀剂BTA吸附及去除的研究进展
投稿时间:2021-06-13  修订日期:2021-11-22 点击次数: 28
本文作者
王静 
中文摘要: 首先从吸附能的角度论述了苯并三唑(BTA)在铜上的吸附类型以及成膜过程,然后综述了关于铜化学机械抛光(CMP)后清洗中去除残留的BTA的研究进展,最后对新型缓蚀剂的出现以及缓蚀剂未来研究方向进行了概述。
中文关键词: 苯并三唑;吸附等温线;配合物;缓蚀剂;铜;化学机械抛光;清洗;综述;
 
Research progress on adsorption and removal of corrosion inhibitor BTA in polishing and post-cleaning of IC copper wiring
keywords:benzotriazole; adsorption isotherm; complex; corrosion inhibitor; copper; Chemical mechanical polishing; cleaning; overview;

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