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CeO2抛光液对SiO2介质抛光性能的研究
投稿时间:2020-12-15  修订日期:2020-12-23 点击次数: 21
本文作者
杨朝霞 
张保国 
中文摘要: 随着3D-NAND的发展,对SiO2介质的材料去除速率提出了更高的要求。本文以CeO2为磨料配制抛光液,研究了磨料浓度、pH值以及添加剂对SiO2介质去除速率和表面粗糙度的影响。结果表明,在磨料质量分数为1%,抛光液的pH为5的条件下,SiO2介质的去除速率为248.9 nm/min。在抛光液中分别加入质量分数为1%的脯氨酸(L-Pro)和0.075%的阴离子表面活性剂TSPE-PO后,SiO2介质的去除速率分别提高至268.6 nm/min和302.5 nm/min,同时得到较好的表面质量(分别为0.601 nm和0.522 nm)。
中文关键词: SiO2介质;化学机械抛光;材料去除速率;CeO2磨料
 
Study on the Polishing Performance of SiO2 Medium in CeO2 Polishing Slurry
keywords:SiO2 medium; chemical mechanical polishing; Material removal rate; CeO2 abrasive

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