| CeO2抛光液对SiO2介质抛光性能的研究 |
| 投稿时间：2020-12-15 修订日期：2020-12-23
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| 本文作者 |
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杨朝霞
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张保国
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| 中文摘要: 随着3D-NAND的发展，对SiO2介质的材料去除速率提出了更高的要求。本文以CeO2为磨料配制抛光液，研究了磨料浓度、pH值以及添加剂对SiO2介质去除速率和表面粗糙度的影响。结果表明，在磨料质量分数为1%，抛光液的pH为5的条件下，SiO2介质的去除速率为248.9 nm/min。在抛光液中分别加入质量分数为1%的脯氨酸(L-Pro)和0.075%的阴离子表面活性剂TSPE-PO后，SiO2介质的去除速率分别提高至268.6 nm/min和302.5 nm/min，同时得到较好的表面质量（分别为0.601 nm和0.522 nm）。 |
| 中文关键词: SiO2介质；化学机械抛光；材料去除速率；CeO2磨料 |
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| Study on the Polishing Performance of SiO2 Medium in CeO2 Polishing Slurry |
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| keywords:SiO2 medium; chemical mechanical polishing; Material removal rate; CeO2 abrasive |
