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不同粒径纳米二氧化硅磨料对蓝宝石CMP去除机理的影响
投稿时间:2020-10-28  修订日期:2021-02-09 点击次数: 26
本文作者
赵之琳 
李薇薇 
中文摘要: 采用不同粒径的纳米二氧化硅磨料对蓝宝石晶圆进行化学机械抛光,结合实验表征与量子化学参数的仿真计算,研究了磨料粒径对蓝宝石晶圆抛光后表面性能的影响及其材料去除机理。结果表明:纳米二氧化硅磨料在蓝宝石化学机械抛光过程中与晶圆表面发生了固相反应,其主要是基于磨粒表面羟基官能团与加工材料表面的强相互作用,提出了磨粒的粒径大小对固相反应强度的影响机制。纳米二氧化硅磨料在蓝宝石抛光中的材料去除是机械磨损和化学反应的协同作用,其中化学作用主要是基于纳米二氧化硅磨料与蓝宝石表面间的固相反应,磨料的粒径是影响两者动态平衡的重要因素。最后提出了一种混合粒径纳米二氧化硅磨料的化学机械抛光材料去除机理。
中文关键词: 蓝宝石;化学机械抛光;纳米二氧化硅磨料;粒径;材料去除机理
 
Removal Mechanism of Sapphire CMP by Nano-silica Abrasives with Different Particle Sizes
keywords:sapphire; chemical mechanical polishing; nano-silica abrasive; particle size; material removal mechanism

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