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三维封装硅通孔铜互连电镀工艺研究进展
投稿时间:2020-10-09  修订日期:2021-01-25 点击次数: 24
本文作者
周苗淼 
张雨 
沈喜训 
徐群杰 
中文摘要: 综述了近年来芯片三维封装中硅通孔(TSV)互连技术的电镀铜工艺研究进展及存在的问题,并指出有关硅通孔互连技术今后的研究方向。
中文关键词: 硅通孔;芯片;铜互连;添加剂;综述
 
Research Progress of Electroplating Process for 3D Package TSV Copper Interconnect
keywords:through silicon via; chip; copper interconnect; additive; review

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