主管单位 :广州大学     主办单位: 广州大学
 公告
  
RGO/In2S3-TiO2复合纳米管阵列的制备及光催化应用
投稿时间:2018-03-17  修订日期:2018-07-05  点此下载全文(下载全文费用:1元/篇)
引用本文:
摘要点击次数: 15
全文下载次数: 
作者
李玥 
中文摘要:首先,采用脉冲电沉积法将In2S3纳米粒子沉积在制备好的TiO2纳米管阵列(TiO2 NTs)上,得到In2S3-TiO2 NTs。然后,再次通过脉冲电沉积法将石墨烯薄膜修饰在In2S3-TiO2复合纳米材料制备出RGO/In2S3-TiO2复合纳米管阵列。并通过光电流测试以及2,4–二氯苯氧乙酸(2, 4-D)为模型污染物对RGO/In2S3-TiO2复合纳米管阵列的光电性能及光催化性能进行研究。结果表明:相对于纯TiO2 NTs相比,RGO/In2S3-TiO2复合纳米材料的光生电子-空穴对的复合率更低,对可见光的吸收更强,光催化180 min后,RGO/In2S3-TiO2复合材料对2, 4-D的降解效率高达93.36%。
中文关键词:TiO2纳米管;In2S3;脉冲电沉积;石墨烯;光催化
 
  查看/发表评论  下载PDF阅读器

《电镀与涂饰》编辑部版权所有 粤ICP备05085172号
电话:020-61302516 传真:020-61302598 地址:广州市科学城科研路6号 邮编:510663  京ICP备09084417号