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AlCrNbSiTiV高熵合金氮化薄膜溅镀参数的优化
投稿时间:2018-02-23  修订日期:2018-06-01  点此下载全文(下载全文费用:1元/篇)
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作者
万松峰 
中文摘要:以AlCrNbSiTiV为靶材应用反应磁控溅镀系统沉积高熵合金(AlCrNbSiTiV)氮化物薄膜。以沉积时间、直流偏压、溅镀功率和基材温度为溅镀参数利用田口方法设计L9(34)正交表,利用正交表、信噪比(S/N)和方差分析(ANOVA)来研究沉积操作中的性能特征,通过灰关联分析对溅镀薄膜的沉积速率、薄膜硬度和刀具寿命等多目标优化。结果分析表明:沉积时间20min,衬底直流偏压-100V,功率250W,衬底温度400℃是最佳的溅射参数。 同时,最佳的性能特征是沉积速率17.28nm / min,硬度2814HV,刀具寿命2.5m。
中文关键词:高熵合金;溅镀;田口方法;灰关联;多目标优化
 
Optimum Parameters for Sputtering AlCrNbSiTiV high entropy alloy nitride thin films
keywords:high entropy alloy;sputtering;Taguchi method;grey relational ;multi-objective optimization
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